창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD9407_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD9407_F085 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 112nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6390pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 227W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD9407_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD9407_F085 | |
관련 링크 | FDD9407, FDD9407_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
RCS040256R0JNED | RES SMD 56 OHM 5% 1/5W 0402 | RCS040256R0JNED.pdf | ||
YR1B15R8CC | RES 15.8 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | YR1B15R8CC.pdf | ||
SA1022APA | SA1022APA ORIGINAL DIP | SA1022APA.pdf | ||
3C80F9XKN-QZ87 | 3C80F9XKN-QZ87 SAMSUNG QFP | 3C80F9XKN-QZ87.pdf | ||
LT5K14-AA-T01 | LT5K14-AA-T01 ORIGINAL LED | LT5K14-AA-T01.pdf | ||
BAV103 _R1 _10001 | BAV103 _R1 _10001 PANJIT SSOP | BAV103 _R1 _10001.pdf | ||
HMC708LP5ETR | HMC708LP5ETR HITTITE SMD or Through Hole | HMC708LP5ETR.pdf | ||
MIC2425 | MIC2425 MICREL SOP8 | MIC2425.pdf | ||
NFA31GD1006R840 | NFA31GD1006R840 murata SMD or Through Hole | NFA31GD1006R840.pdf | ||
1615540000 | 1615540000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1615540000.pdf | ||
AU1C228M1835M | AU1C228M1835M samwha DIP-2 | AU1C228M1835M.pdf | ||
F8803Y | F8803Y ORIGINAL CDIP | F8803Y.pdf |