홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » FDD8878

Fairchild Semiconductor FDD8878

FDD8878
제조업체 부품 번호
FDD8878
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
FDD8878 가격 및 조달

가능 수량

11050 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 298.89700
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FDD8878 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FDD8878 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FDD8878가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FDD8878 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FDD8878 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FDD8878
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDD8878, FDU8878
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
PCN 포장Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C11A(Ta), 40A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs15m옴 @ 35A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs26nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds880pF @ 15V
전력 - 최대40W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252-3
표준 포장 2,500
다른 이름FDD8878-ND
FDD8878TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDD8878
관련 링크FDD8, FDD8878 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FDD8878 의 관련 제품
820pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) VJ1206A821JBBAT4X.pdf
APR3001-39DI-TRG ANALOGIC SOT89-3 APR3001-39DI-TRG.pdf
HSC88TRF-E RENESAS SMD or Through Hole HSC88TRF-E.pdf
HWXR594-C11 RENESA SMD or Through Hole HWXR594-C11.pdf
UPC79C ORIGINAL DIP UPC79C.pdf
UG10459B ORIGINAL QFP UG10459B.pdf
DP7241JI-00-26645 ORIGINAL SOP DP7241JI-00-26645.pdf
bc327-25bk dio SMD or Through Hole bc327-25bk.pdf
LT1800IS5 TEL:82766440 LT SOT23-5 LT1800IS5 TEL:82766440.pdf
C507S PRX MODULE C507S.pdf