창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD8782 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD8782/FDU8782 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1220pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD8782TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD8782 | |
관련 링크 | FDD8, FDD8782 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
EEV-HB0G101R | 100µF 4V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | EEV-HB0G101R.pdf | ||
885012106012 | 4.7µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | 885012106012.pdf | ||
0805PC103KAT2A | 10000pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 0805PC103KAT2A.pdf | ||
BUK104-50 | BUK104-50 PHILIPS TO-220 5-Pin | BUK104-50.pdf | ||
BU4831F-TR | BU4831F-TR ROHM SMD or Through Hole | BU4831F-TR.pdf | ||
MAX1363EUB+T | MAX1363EUB+T MAXIM 10MSOP | MAX1363EUB+T.pdf | ||
IS62C256-70NI | IS62C256-70NI ISSI DIP | IS62C256-70NI.pdf | ||
87C405AM-3GC4 | 87C405AM-3GC4 TOSHIBA QFP | 87C405AM-3GC4.pdf | ||
AD4600 | AD4600 ORIGINAL SMD | AD4600.pdf | ||
BD109 | BD109 MOT/ON/ST TO-3 | BD109.pdf | ||
DAC63CQ | DAC63CQ ORIGINAL SMD or Through Hole | DAC63CQ.pdf | ||
REC2.2-2424SRWB | REC2.2-2424SRWB RECOM DIP8 | REC2.2-2424SRWB.pdf |