창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD86380_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD86380_F085 Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | FDD86380_F085 Material Declaration FDD86380_F085 Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.5m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1440pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD86380_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD86380_F085 | |
관련 링크 | FDD8638, FDD86380_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 6-5175473-0 | 6-5175473-0 AMP/TYCO/TE BTB-DIP | 6-5175473-0.pdf | |
![]() | LF-293D476X0004B2TE3 | LF-293D476X0004B2TE3 VISHAY SMD | LF-293D476X0004B2TE3.pdf | |
![]() | 292206-3 | 292206-3 AMP ORIGINAL | 292206-3.pdf | |
![]() | CDR7D28MNNP-1R2 NC | CDR7D28MNNP-1R2 NC SUMIDA SMT | CDR7D28MNNP-1R2 NC.pdf | |
![]() | C2LE-A680K | C2LE-A680K TOKO SMD or Through Hole | C2LE-A680K.pdf | |
![]() | TDR2-0512SM | TDR2-0512SM TRACO AC DC | TDR2-0512SM.pdf | |
![]() | D152M20Z5UH6.J5R | D152M20Z5UH6.J5R VISHAY DIP | D152M20Z5UH6.J5R.pdf | |
![]() | MC68HC706BD3P | MC68HC706BD3P ORIGINAL DIP | MC68HC706BD3P.pdf | |
![]() | SG636PTF | SG636PTF ORIGINAL SMD or Through Hole | SG636PTF.pdf | |
![]() | 24LC08B-1 | 24LC08B-1 PIC SMD or Through Hole | 24LC08B-1.pdf | |
![]() | TZ600N22KOF | TZ600N22KOF Eupec SMD or Through Hole | TZ600N22KOF.pdf | |
![]() | RD3.9S-T1 /B1 391 | RD3.9S-T1 /B1 391 NEC SOD323 | RD3.9S-T1 /B1 391.pdf |