창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD86113LZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD86113LZ | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A(Ta), 5.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 104m옴 @ 4.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 285pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD86113LZ-ND FDD86113LZFSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD86113LZ | |
관련 링크 | FDD861, FDD86113LZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | L50S175.V | FUSE CRTRDGE 175A 500VAC/450VDC | L50S175.V.pdf | |
![]() | RR0510R-18R7-D | RES SMD 18.7 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RR0510R-18R7-D.pdf | |
![]() | Y11722K50000B9W | RES SMD 2.5K OHM 0.1% 1/10W 0805 | Y11722K50000B9W.pdf | |
![]() | WNA200FE | RES 200 OHM 1/2W 1% AXIAL | WNA200FE.pdf | |
![]() | MS3474W24-61P | MS3474W24-61P AERO SMD or Through Hole | MS3474W24-61P.pdf | |
![]() | 945HMQB | 945HMQB UA CAN | 945HMQB.pdf | |
![]() | TNT4882C-AQ/BQ | TNT4882C-AQ/BQ NATIONAL QFP | TNT4882C-AQ/BQ.pdf | |
![]() | LTCGB | LTCGB LT SOT-23 | LTCGB.pdf | |
![]() | OBS025ZH-S2 | OBS025ZH-S2 POWER-ONE SMD or Through Hole | OBS025ZH-S2.pdf | |
![]() | CX81801-84-- | CX81801-84-- CONENX LQFP-128 | CX81801-84--.pdf | |
![]() | MD2AL121J | MD2AL121J TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | MD2AL121J.pdf | |
![]() | PRC202/330K | PRC202/330K CMD SOP-20 | PRC202/330K.pdf |