창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD850N10LD | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD850N10LD | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28.9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1465pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-5, DPak(4 리드(lead) + 탭), TO-252AD | |
공급 장치 패키지 | TO-252-5 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD850N10LD-ND FDD850N10LDTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD850N10LD | |
관련 링크 | FDD850, FDD850N10LD 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
V130LU5CPX2855 | VARISTOR 205V 3.5KA DISC 10MM | V130LU5CPX2855.pdf | ||
ASE3-25.000MHZ-KT | 25MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 4mA Enable/Disable | ASE3-25.000MHZ-KT.pdf | ||
SMBG5363B/TR13 | DIODE ZENER 30V 5W SMBG | SMBG5363B/TR13.pdf | ||
MCR01MRTJ3R0 | RES SMD 3 OHM 5% 1/16W 0402 | MCR01MRTJ3R0.pdf | ||
RCL040651K0FKEA | RES SMD 51K OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL040651K0FKEA.pdf | ||
10616-20 | RF Directional Coupler Military 2GHz ~ 4GHz 20dB 100W | 10616-20.pdf | ||
CSM10219 | CSM10219 TI DIP | CSM10219.pdf | ||
XC4413TMPC84C-6023 | XC4413TMPC84C-6023 ORIGINAL PLCC-84 | XC4413TMPC84C-6023.pdf | ||
ET-3528H-1E1W | ET-3528H-1E1W EDISON ROHS | ET-3528H-1E1W.pdf | ||
LSM315TR | LSM315TR Microsemi DO-214AA | LSM315TR.pdf | ||
MSM5238 | MSM5238 OKI QFP | MSM5238.pdf | ||
MMBT3117ALT1G | MMBT3117ALT1G ON SOT-23 | MMBT3117ALT1G.pdf |