창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD8444 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD8444 | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 145A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 116nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6195pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 153W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD8444TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD8444 | |
관련 링크 | FDD8, FDD8444 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
MALREKA00DC268LG0K | 68µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1.56 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MALREKA00DC268LG0K.pdf | ||
SMBJ8.0CE3/TR13 | TVS DIODE 8VWM 15VC SMBJ | SMBJ8.0CE3/TR13.pdf | ||
3C1860XPOSK71 | 3C1860XPOSK71 SAMSUNG SOP | 3C1860XPOSK71.pdf | ||
DOE6-CU | DOE6-CU SILICON SOP8 | DOE6-CU.pdf | ||
SABC517ALN | SABC517ALN SIE PLCC | SABC517ALN.pdf | ||
NASE470M16V6.3X5.5NBF | NASE470M16V6.3X5.5NBF NIC SMD | NASE470M16V6.3X5.5NBF.pdf | ||
IMP920WT | IMP920WT IMP SOP | IMP920WT.pdf | ||
XZCBD54W | XZCBD54W SunLED SMD or Through Hole | XZCBD54W.pdf | ||
2SD1952L | 2SD1952L UTG SOT-89 | 2SD1952L.pdf | ||
RI-TRP-R9BK-20 | RI-TRP-R9BK-20 TI SMD or Through Hole | RI-TRP-R9BK-20.pdf | ||
1N5248B-B-99-R0 | 1N5248B-B-99-R0 HY DO-41 | 1N5248B-B-99-R0.pdf |