창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDD770N15A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDD770N15A | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 77m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 765pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 56.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDD770N15A-ND FDD770N15ATR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDD770N15A | |
| 관련 링크 | FDD770, FDD770N15A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1808GA101MAT1A | 100pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808GA101MAT1A.pdf | |
![]() | C2220C473JDRACTU | 0.047µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | C2220C473JDRACTU.pdf | |
![]() | MFN-3-2/10 | FUSE SMALL DIMENSION | MFN-3-2/10.pdf | |
![]() | B20J1K0E | RES 1K OHM 20W 5% AXIAL | B20J1K0E.pdf | |
![]() | SB10242506N | SB10242506N CYNTEC TO92-2 | SB10242506N.pdf | |
![]() | SPZB | SPZB NS MSOP10 | SPZB.pdf | |
![]() | 2010F R330 | 2010F R330 ORIGINAL 2010 | 2010F R330.pdf | |
![]() | MTP10N15 | MTP10N15 MOT TO-220 | MTP10N15.pdf | |
![]() | IMS1400S70 | IMS1400S70 inmos DIP-20 | IMS1400S70.pdf | |
![]() | EL0606RA-821K | EL0606RA-821K TDK SMD or Through Hole | EL0606RA-821K.pdf | |
![]() | RN2404/YD | RN2404/YD TOSHIBA SOT-23 | RN2404/YD.pdf | |
![]() | WSL-2512 .15 1% EA E3 | WSL-2512 .15 1% EA E3 VISHAYDALE Original Package | WSL-2512 .15 1% EA E3.pdf |