창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD6N50FTM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD6N50F, FDU6N50F | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.15옴 @ 2.75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 960pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 89W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD6N50FTM-ND FDD6N50FTMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD6N50FTM | |
관련 링크 | FDD6N5, FDD6N50FTM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C1005X6S1E224K050BC | 0.22µF 25V 세라믹 커패시터 X6S 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005X6S1E224K050BC.pdf | |
![]() | RMCP2010FT4R42 | RES SMD 4.42 OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT4R42.pdf | |
![]() | CMF60475K00CEEB | RES 475K OHM 1W 0.25% AXIAL | CMF60475K00CEEB.pdf | |
![]() | AL-051 | AL-051 ORIGINAL SMD or Through Hole | AL-051.pdf | |
![]() | LH28F016SCT-L95TR | LH28F016SCT-L95TR SHARP TSOP | LH28F016SCT-L95TR.pdf | |
![]() | TL8120A1B308 | TL8120A1B308 ORIGINAL BGA | TL8120A1B308.pdf | |
![]() | PI2C2158 | PI2C2158 PERICOM PLCC-52 | PI2C2158.pdf | |
![]() | NJM2543V-BHN | NJM2543V-BHN JRC SSOP | NJM2543V-BHN.pdf | |
![]() | TMMBAT49 | TMMBAT49 ST LL-34 | TMMBAT49.pdf | |
![]() | SWI0603F-R15K | SWI0603F-R15K TAITECH SMD | SWI0603F-R15K.pdf | |
![]() | YB9080 | YB9080 ORIGINAL QFP | YB9080.pdf | |
![]() | ESVP0G155M | ESVP0G155M NEC SMD | ESVP0G155M.pdf |