창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD6760A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD6760A | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Ta), 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 27A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3170pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD6760ATR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD6760A | |
관련 링크 | FDD6, FDD6760A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ0805D1R2BXCAP | 1.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R2BXCAP.pdf | ||
MJN2C-I-AC240 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 240VAC Coil Socketable | MJN2C-I-AC240.pdf | ||
CF18JA47R0 | RES 47 OHM 1/8W 5% CARBON FILM | CF18JA47R0.pdf | ||
08005GOD | 08005GOD MICROSEMI SMD or Through Hole | 08005GOD.pdf | ||
RT1N144S | RT1N144S ORIGINAL TO-92S | RT1N144S.pdf | ||
102/0805 | 102/0805 ORIGINAL SMD0805 | 102/0805.pdf | ||
DG309ADJ | DG309ADJ SILICONI DIP16 | DG309ADJ.pdf | ||
54F05 | 54F05 NSC/S CDIP | 54F05.pdf | ||
DBA200VA60 | DBA200VA60 ORIGINAL SMD or Through Hole | DBA200VA60.pdf | ||
SN75LBC172ADWG4 | SN75LBC172ADWG4 TI SOP-20 | SN75LBC172ADWG4.pdf | ||
IMX9 F T110 | IMX9 F T110 ROHM SOT23-6 | IMX9 F T110.pdf |