창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDD6296 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDD6296, FDU6296 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta), 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.8m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1440pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDD6296-ND FDD6296TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDD6296 | |
| 관련 링크 | FDD6, FDD6296 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW1206110RFKEA | RES SMD 110 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206110RFKEA.pdf | |
![]() | E3Z-B61 0.5M | SENS OPTO REFL 500MM PREWIRE MOD | E3Z-B61 0.5M.pdf | |
![]() | AR3011-1L1E | AR3011-1L1E ATHEROS QFN | AR3011-1L1E.pdf | |
![]() | HYM4054-4.2.. | HYM4054-4.2.. HYM SMD or Through Hole | HYM4054-4.2...pdf | |
![]() | MBR3020PT,MBR3040PT,MBR4040PT | MBR3020PT,MBR3040PT,MBR4040PT VISHAY SMD or Through Hole | MBR3020PT,MBR3040PT,MBR4040PT.pdf | |
![]() | MC68H11F1VFN4 | MC68H11F1VFN4 MOTOROLA LPCC-68 | MC68H11F1VFN4.pdf | |
![]() | TAR70-R100KK | TAR70-R100KK ORIGINAL SMD or Through Hole | TAR70-R100KK.pdf | |
![]() | ASDX015D44R-DO | ASDX015D44R-DO HONEYWELL SMD or Through Hole | ASDX015D44R-DO.pdf | |
![]() | LT343IFE | LT343IFE LT SSOP | LT343IFE.pdf | |
![]() | TDA933OH/N3 | TDA933OH/N3 PHI QFP44 | TDA933OH/N3.pdf | |
![]() | V53C104BP | V53C104BP ORIGINAL DIP | V53C104BP.pdf |