창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDD5N50UTM_WS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDD5N50U | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | FRFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDD5N50UTM_WS-ND FDD5N50UTM_WSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDD5N50UTM_WS | |
| 관련 링크 | FDD5N50, FDD5N50UTM_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | US2JFL-TP | DIODE GEN PURP 600V 2A DO221AC | US2JFL-TP.pdf | |
![]() | CMF701R8200FKEA | RES 1.82 OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF701R8200FKEA.pdf | |
![]() | 1766660 | 1766660 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1766660.pdf | |
![]() | M5M151008DFP-70H | M5M151008DFP-70H MIT SMD or Through Hole | M5M151008DFP-70H.pdf | |
![]() | RHO3A3J4X138 | RHO3A3J4X138 ALPS SMD or Through Hole | RHO3A3J4X138.pdf | |
![]() | MB84257A-70L | MB84257A-70L FUJITSU SOP | MB84257A-70L.pdf | |
![]() | SDS0906TTEB222 | SDS0906TTEB222 KOA SMD | SDS0906TTEB222.pdf | |
![]() | 64320-1319 | 64320-1319 MOLEX SMD or Through Hole | 64320-1319.pdf | |
![]() | 302D1 | 302D1 STM LGA14 | 302D1.pdf | |
![]() | GHM1535X7R223K1KD550 | GHM1535X7R223K1KD550 ORIGINAL SMD or Through Hole | GHM1535X7R223K1KD550.pdf | |
![]() | GMX-SMT4-N-88 | GMX-SMT4-N-88 KYCON/WSI SMD or Through Hole | GMX-SMT4-N-88.pdf |