창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD5N50FTM_WS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD5N50F | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 14/Mar/2011 | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.55옴 @ 1.75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | FDD5N50FTM_WSCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD5N50FTM_WS | |
관련 링크 | FDD5N50, FDD5N50FTM_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CGA4J3NP02E472J125AA | 4700pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J3NP02E472J125AA.pdf | |
![]() | 08051C224K4Z2A | 0.22µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 08051C224K4Z2A.pdf | |
![]() | CD10FD121JO3F | 120pF Mica Capacitor 500V Radial 0.382" L x 0.201" W (9.70mm x 5.10mm) | CD10FD121JO3F.pdf | |
![]() | MMBFJ304 | MMBFJ304 ON SMD or Through Hole | MMBFJ304.pdf | |
![]() | SMTHDT65JP(W06) | SMTHDT65JP(W06) ST SMC | SMTHDT65JP(W06).pdf | |
![]() | KKZ02F | KKZ02F KENWOOD QFP | KKZ02F.pdf | |
![]() | MAX5383-ZT | MAX5383-ZT MAXIM SOP6 | MAX5383-ZT.pdf | |
![]() | BFR53 2GHz | BFR53 2GHz PHILIPS SOT23 | BFR53 2GHz.pdf | |
![]() | MAX3243EEAI-T | MAX3243EEAI-T MAXIM SSOP-28 | MAX3243EEAI-T.pdf | |
![]() | LH5116Y-10 | LH5116Y-10 ORIGINAL DIP24 | LH5116Y-10.pdf | |
![]() | NCR0380708(11647-501 | NCR0380708(11647-501 NCR PLCC28 | NCR0380708(11647-501.pdf |