창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD5N50FTM_WS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD5N50F | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 14/Mar/2011 | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.55옴 @ 1.75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | FDD5N50FTM_WSCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD5N50FTM_WS | |
관련 링크 | FDD5N50, FDD5N50FTM_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 08055A471KAT2P | 470pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A471KAT2P.pdf | |
![]() | TC90417XBG | TC90417XBG TOSHIBA BGA | TC90417XBG.pdf | |
![]() | SS13A | SS13A HY/YJ SMA | SS13A.pdf | |
![]() | IKMCK203 | IKMCK203 IOR SOP | IKMCK203.pdf | |
![]() | AV960 | AV960 ORIGINAL SMD or Through Hole | AV960.pdf | |
![]() | CV03X5R105M06AH-SAM | CV03X5R105M06AH-SAM AVX/Kyocera SMD or Through Hole | CV03X5R105M06AH-SAM.pdf | |
![]() | 7023B | 7023B ORIGINAL SMD or Through Hole | 7023B.pdf | |
![]() | 3323P-104LF | 3323P-104LF BONENS DIP | 3323P-104LF.pdf | |
![]() | AIC1117-33C | AIC1117-33C ORIGINAL SMD or Through Hole | AIC1117-33C.pdf | |
![]() | MMZ10 | MMZ10 ST SOD323 | MMZ10.pdf | |
![]() | AK432AVF | AK432AVF AKM SOP | AK432AVF.pdf | |
![]() | EP244DC-10A | EP244DC-10A ALTEPA DIP | EP244DC-10A.pdf |