창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD5670 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD5670 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 52A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 73nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2739pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD5670-ND FDD5670TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD5670 | |
관련 링크 | FDD5, FDD5670 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 445C25C24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 16pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C25C24M57600.pdf | |
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![]() | CRGH1206F1K87 | RES SMD 1.87K OHM 1% 1/2W 1206 | CRGH1206F1K87.pdf | |
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![]() | 292KNAS-T1033Z | 292KNAS-T1033Z TOKO SMD or Through Hole | 292KNAS-T1033Z.pdf | |
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![]() | AP4502M/GM | AP4502M/GM AP SOP8 | AP4502M/GM.pdf | |
![]() | TSLM83CIMQA | TSLM83CIMQA NS SMD or Through Hole | TSLM83CIMQA.pdf | |
![]() | SC3214-034 | SC3214-034 SUPERCHIP DIP/SOP | SC3214-034.pdf | |
![]() | STC11F02/16P | STC11F02/16P ORIGINAL SOP16 | STC11F02/16P.pdf | |
![]() | 6805 28917 | 6805 28917 Hammond SOP | 6805 28917.pdf |