창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD5670 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD5670 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 52A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 73nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2739pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD5670-ND FDD5670TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD5670 | |
관련 링크 | FDD5, FDD5670 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
SIT3907AI-2F-33NY-12.288000Y | OSC XO 3.3V 12.288MHZ | SIT3907AI-2F-33NY-12.288000Y.pdf | ||
LX8211-33ISE-TR | LX8211-33ISE-TR MICROSEMI SOT23-5 | LX8211-33ISE-TR.pdf | ||
2SC1623/L5/L6/L7 | 2SC1623/L5/L6/L7 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC1623/L5/L6/L7.pdf | ||
S60SC4MT-5000 | S60SC4MT-5000 ORIGINAL SMD or Through Hole | S60SC4MT-5000.pdf | ||
LFEC20E4F484C-3I | LFEC20E4F484C-3I LATTICE BGA | LFEC20E4F484C-3I.pdf | ||
HH4-1781-02 | HH4-1781-02 CANON DIP-32 | HH4-1781-02.pdf | ||
5962R8776001S2A | 5962R8776001S2A NSC LCC20 | 5962R8776001S2A.pdf | ||
ECJ0EB1E391K | ECJ0EB1E391K PANASONIC SMD or Through Hole | ECJ0EB1E391K.pdf | ||
RTM680-648R | RTM680-648R REALTEK SSOP-48 | RTM680-648R.pdf | ||
P2NK100Z | P2NK100Z ST TO-220 | P2NK100Z.pdf | ||
N9877 | N9877 PITTWAY SMD-18 | N9877.pdf |