창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD4N60NZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD4N60NZ | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET-II™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 1.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 114W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD4N60NZ-ND FDD4N60NZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD4N60NZ | |
관련 링크 | FDD4N, FDD4N60NZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | TM3D107K6R3HBA | 100µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 140 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TM3D107K6R3HBA.pdf | |
![]() | 0603LS-821XGLC | 0603LS-821XGLC Coilcraft NA | 0603LS-821XGLC.pdf | |
![]() | LT3650EMSE-4.2PBF | LT3650EMSE-4.2PBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT3650EMSE-4.2PBF.pdf | |
![]() | T4402-A | T4402-A N/A CDIP-16 | T4402-A.pdf | |
![]() | TFK843 | TFK843 TFK DIP-8 | TFK843.pdf | |
![]() | XRK799J93IQ-F | XRK799J93IQ-F EXAR QFP | XRK799J93IQ-F.pdf | |
![]() | CTTE8BGKL-001D | CTTE8BGKL-001D ST QFP | CTTE8BGKL-001D.pdf | |
![]() | MAAM-009560 | MAAM-009560 M/A-COM SOT-89 | MAAM-009560.pdf | |
![]() | MB81V16400B-60PJ | MB81V16400B-60PJ FUJI SMD or Through Hole | MB81V16400B-60PJ.pdf | |
![]() | HCGF6A2G123Y | HCGF6A2G123Y HITACHI DIP | HCGF6A2G123Y.pdf | |
![]() | BCW61B215 | BCW61B215 NXP SMD DIP | BCW61B215.pdf | |
![]() | C0603222K8RAC | C0603222K8RAC ORIGINAL SMD or Through Hole | C0603222K8RAC.pdf |