창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD390N15ALZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD390N15ALZ | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 26A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1760pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD390N15ALZ-ND FDD390N15ALZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD390N15ALZ | |
관련 링크 | FDD390N, FDD390N15ALZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
CX5Z-A0B2C5-50-16.0D18 | 16MHz ±20ppm 수정 18pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX5Z-A0B2C5-50-16.0D18.pdf | ||
SSM6N7002BFU(T5L,F | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 | SSM6N7002BFU(T5L,F.pdf | ||
TLP626(TP1,F) | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | TLP626(TP1,F).pdf | ||
RCL1225178KFKEG | RES SMD 178K OHM 2W 2512 WIDE | RCL1225178KFKEG.pdf | ||
CMF55511K00DHR6 | RES 511K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55511K00DHR6.pdf | ||
CW010223R0JB12 | RES 223 OHM 13W 5% AXIAL | CW010223R0JB12.pdf | ||
54165J/BEAJC | 54165J/BEAJC TEXAS CDIP | 54165J/BEAJC.pdf | ||
GC1H226M6L05H | GC1H226M6L05H SAMWHA SMD or Through Hole | GC1H226M6L05H.pdf | ||
HM51S4260ALTT7 | HM51S4260ALTT7 HITACHI TSOP | HM51S4260ALTT7.pdf | ||
ACE302C480ABM+H | ACE302C480ABM+H ACE SOT-23 | ACE302C480ABM+H.pdf |