창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD3706 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD3706, FDU3706 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.7A(Ta), 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 16.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1882pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD3706-ND FDD3706FSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD3706 | |
관련 링크 | FDD3, FDD3706 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | R5J3K9E | RES 3.9K OHM 5W 5% RADIAL | R5J3K9E.pdf | |
![]() | CPCP05R2000FB32 | RES 0.2 OHM 5W 1% RADIAL | CPCP05R2000FB32.pdf | |
![]() | KDT00030TR | PHOTOTRANSISTOR PHOTO DET 2PLCC | KDT00030TR.pdf | |
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![]() | XC2S100tmFG256AMS | XC2S100tmFG256AMS XILINX BGA256 | XC2S100tmFG256AMS.pdf | |
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