Fairchild Semiconductor FDD3672
,-SC-63.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- FDD3672
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
FDD3672 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 711.36299
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 FDD3672 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FDD3672 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FDD3672가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- FDD3672 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDD3672 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDD3672 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDD3672 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UltraFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Ta), 44A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 44A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1710pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 135W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDD3672-ND FDD3672TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDD3672 | |
| 관련 링크 | FDD3, FDD3672 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
FDD3672 의 관련 제품
 | UPW1E332MHD | 3300µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | UPW1E332MHD.pdf | |
.jpg) | CC0402CRNPO9BN1R5 | 1.5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CC0402CRNPO9BN1R5.pdf | |
 | ASTMHTD-125.000MHZ-XR-E | 125MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-125.000MHZ-XR-E.pdf | |
 | 511R-10G | 360nH Unshielded Wirewound Inductor 1.515A 98 mOhm Max Axial | 511R-10G.pdf | |
| TEESVC1V685K12R | TEESVC1V685K12R NEC SMD or Through Hole | TEESVC1V685K12R.pdf | |
| SLG8SP573V | SLG8SP573V SILIGO QFP | SLG8SP573V.pdf | |
| D56104D | D56104D NEC DIP40 | D56104D.pdf | |
| B37472K5472K70 | B37472K5472K70 EPCOS NA | B37472K5472K70.pdf | |
| ADSP-2101KS-50 | ADSP-2101KS-50 AD QFP | ADSP-2101KS-50.pdf | |
| 52N03S. | 52N03S. INFINEON SOP8 | 52N03S..pdf | |
| DF14A-9P-1.25H | DF14A-9P-1.25H ORIGINAL SMD or Through Hole | DF14A-9P-1.25H.pdf |