창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDD306P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDD306P | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 6.7A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1290pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDD306P-ND FDD306PTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDD306P | |
| 관련 링크 | FDD3, FDD306P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | IRF6715MTRPBF | MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET | IRF6715MTRPBF.pdf | |
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![]() | TK11228AM | TK11228AM TOKO SMD or Through Hole | TK11228AM.pdf | |
![]() | XC3130ATM-5 | XC3130ATM-5 XILINX PLCC | XC3130ATM-5.pdf | |
![]() | TMS320C6414EGLZA6E | TMS320C6414EGLZA6E TI BGA | TMS320C6414EGLZA6E.pdf | |
![]() | RHR6120 | RHR6120 HAR TO-252 | RHR6120.pdf | |
![]() | LM26480SQ-AAEV/NOPB | LM26480SQ-AAEV/NOPB NationalSemiconductorTI SMD or Through Hole | LM26480SQ-AAEV/NOPB.pdf | |
![]() | MAC94-1-8 | MAC94-1-8 ORIGINAL TO-92 | MAC94-1-8.pdf | |
![]() | 1ST234 | 1ST234 HG SMD or Through Hole | 1ST234.pdf | |
![]() | LK-2125-3R3KTK | LK-2125-3R3KTK KEMET SMD | LK-2125-3R3KTK.pdf |