창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD18N20LZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD18N20LZ | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1575pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 89W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD18N20LZ-ND FDD18N20LZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD18N20LZ | |
관련 링크 | FDD18N, FDD18N20LZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | MKP385318063JC02W0 | 0.018µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | MKP385318063JC02W0.pdf | |
![]() | P6KE10A-G | TVS DIODE 8.6VWM 14.5VC DO15 | P6KE10A-G.pdf | |
![]() | CRCW20106K80JNEFHP | RES SMD 6.8K OHM 5% 1W 2010 | CRCW20106K80JNEFHP.pdf | |
![]() | RT0805CRB0786R6L | RES SMD 86.6 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB0786R6L.pdf | |
![]() | MC501CA | MC501CA MAGNACHIP BGA | MC501CA.pdf | |
![]() | AP8306PQ | AP8306PQ TSXT QFP | AP8306PQ.pdf | |
![]() | 24LC16B/P36F | 24LC16B/P36F MIC DIP | 24LC16B/P36F.pdf | |
![]() | CY7C144 | CY7C144 CY PLCC68 | CY7C144.pdf | |
![]() | NCN6010DTBG | NCN6010DTBG ON TSSOP-16 | NCN6010DTBG.pdf | |
![]() | SN755866PZP-P | SN755866PZP-P TI TQFP100 | SN755866PZP-P.pdf | |
![]() | VA-A3216-110MJT-11V | VA-A3216-110MJT-11V CTCCERATECHCORPORATIONMADEINKORIA VAI110 | VA-A3216-110MJT-11V.pdf |