창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD1600N10ALZD | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD1600N10ALZD | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 3.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.61nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 225pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 14.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-5, DPak(4 리드(lead) + 탭), TO-252AD | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD1600N10ALZD-ND FDD1600N10ALZDTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD1600N10ALZD | |
관련 링크 | FDD1600N, FDD1600N10ALZD 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | WSLT2010R2200FEB18 | RES SMD 0.22 OHM 1% 1W 2010 | WSLT2010R2200FEB18.pdf | |
![]() | CMF5534K800BHEA | RES 34.8K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5534K800BHEA.pdf | |
![]() | AD7322LARUZ | AD7322LARUZ AD TSSOP | AD7322LARUZ.pdf | |
![]() | A82385SX16 | A82385SX16 INTEL CPGA | A82385SX16.pdf | |
![]() | SRS-5V | SRS-5V ORIGINAL NULL | SRS-5V.pdf | |
![]() | M5M44260AJ-8L | M5M44260AJ-8L ORIGINAL SOJ40 | M5M44260AJ-8L.pdf | |
![]() | EP1K100FC484C | EP1K100FC484C ALTRA SMD or Through Hole | EP1K100FC484C.pdf | |
![]() | HK4101F-DC1 | HK4101F-DC1 HK SMD or Through Hole | HK4101F-DC1.pdf | |
![]() | HY4953 | HY4953 ORIGINAL SO-8 | HY4953.pdf | |
![]() | LL0612X7R684M010AL | LL0612X7R684M010AL ORIGINAL SMD or Through Hole | LL0612X7R684M010AL.pdf | |
![]() | N | N NEC TO-92S | N.pdf |