창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDD13AN06A0_F085 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDD13AN06A0_F085 | |
| 비디오 파일 | Driving Automotive Technology | |
| 주요제품 | One-Stop Automotive Shop | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.9A(Ta), 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.5m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDD13AN06A0_F085-ND FDD13AN06A0_F085TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDD13AN06A0_F085 | |
| 관련 링크 | FDD13AN06, FDD13AN06A0_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
| UKT1A220MDD1TD | 22µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UKT1A220MDD1TD.pdf | ||
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![]() | SIT9002AI-33H18ED | 1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 51mA Enable/Disable | SIT9002AI-33H18ED.pdf | |
![]() | RT0805FRD07604KL | RES SMD 604K OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRD07604KL.pdf | |
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![]() | M21330G13 | M21330G13 MINDSPEED QFN | M21330G13.pdf | |
![]() | M11-1-332J | M11-1-332J BITECHNOLOGY SMD or Through Hole | M11-1-332J.pdf | |
![]() | LY2N-D2-12VDC | LY2N-D2-12VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | LY2N-D2-12VDC.pdf | |
![]() | TFD65W51A | TFD65W51A TOSHIBA SMD or Through Hole | TFD65W51A.pdf | |
![]() | AAP14LDS | AAP14LDS ORIGINAL TSSOP | AAP14LDS.pdf | |
![]() | PLVA653A,215 | PLVA653A,215 NXP SMD or Through Hole | PLVA653A,215.pdf |