창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDD050N03B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDD050N03B | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2875pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 65W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDD050N03B-ND FDD050N03BTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDD050N03B | |
관련 링크 | FDD050, FDD050N03B 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D8R2DXAAC | 8.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D8R2DXAAC.pdf | |
![]() | CPF0603F4R42C1 | RES SMD 4.42 OHM 1% 1/16W 0603 | CPF0603F4R42C1.pdf | |
![]() | RCP2512W120RGEC | RES SMD 120 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W120RGEC.pdf | |
![]() | Y0793210R270V0L | RES 210.27 OHM 0.6W 0.005% RAD | Y0793210R270V0L.pdf | |
![]() | 2743002112L | 2743002112L FRP SMD or Through Hole | 2743002112L.pdf | |
![]() | MAX985EUK-T | MAX985EUK-T MAXIM SOT23-5 | MAX985EUK-T.pdf | |
![]() | CDR63BNP-100MB | CDR63BNP-100MB SUMIDA SMD | CDR63BNP-100MB.pdf | |
![]() | IRKC71-04 | IRKC71-04 IR SMD or Through Hole | IRKC71-04.pdf | |
![]() | AAT3110IGU-5.0-T2 | AAT3110IGU-5.0-T2 AAT SMD or Through Hole | AAT3110IGU-5.0-T2.pdf | |
![]() | IDT7202LA50TC | IDT7202LA50TC IDT CDIP28 | IDT7202LA50TC.pdf | |
![]() | 19058-0047 | 19058-0047 MOLEX SMD or Through Hole | 19058-0047.pdf |