Fairchild Semiconductor FDC8886

FDC8886
제조업체 부품 번호
FDC8886
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT
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내부 부품 번호EIS-FDC8886
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDC8886
PCN 설계/사양Datasheet Update 21/Jul/2015
PCN 조립/원산지Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
PCN 포장Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6.5A(Ta), 8A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs23m옴 @ 6.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs7.4nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds465pF @ 15V
전력 - 최대800mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 장치 패키지6-SSOT
표준 포장 3,000
다른 이름FDC8886-ND
FDC8886TR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDC8886
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