창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDC8602 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDC8602 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.2A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 350m옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 70pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 690mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDC8602TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDC8602 | |
관련 링크 | FDC8, FDC8602 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
UVR1H100MDD | 10µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UVR1H100MDD.pdf | ||
CRM2512-JW-820ELF | RES SMD 82 OHM 5% 2W 2512 | CRM2512-JW-820ELF.pdf | ||
MC15XS3400DHFKR2 | MC15XS3400DHFKR2 FREESCALE QFN24 | MC15XS3400DHFKR2.pdf | ||
MC669 | MC669 MOT DIP | MC669.pdf | ||
H114 | H114 N/A SOT23-5 | H114.pdf | ||
EST-2G-SJ31/36-1W | EST-2G-SJ31/36-1W ORIGINAL SMD or Through Hole | EST-2G-SJ31/36-1W.pdf | ||
C3624AGC | C3624AGC NEC QFP | C3624AGC.pdf | ||
C0805X683K050T | C0805X683K050T HEC SMD or Through Hole | C0805X683K050T.pdf | ||
6MBI450U-120-01 | 6MBI450U-120-01 FUJI SMD or Through Hole | 6MBI450U-120-01.pdf | ||
UPD17003AGF-631-3B9 | UPD17003AGF-631-3B9 NEC QFP | UPD17003AGF-631-3B9.pdf | ||
KS57C2416-04 | KS57C2416-04 O QFP | KS57C2416-04.pdf | ||
ADR433AR | ADR433AR ORIGINAL SSOP-8P | ADR433AR .pdf |