창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDC8602 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDC8602 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.2A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 350m옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 70pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 690mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDC8602TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDC8602 | |
관련 링크 | FDC8, FDC8602 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
1PMT5923A/TR13 | DIODE ZENER 8.2V 3W DO216AA | 1PMT5923A/TR13.pdf | ||
EM78P468NQJU | EM78P468NQJU EMC QFP | EM78P468NQJU.pdf | ||
SAA343S0061A | SAA343S0061A ORIGINAL SMD or Through Hole | SAA343S0061A.pdf | ||
TMP95C061AF | TMP95C061AF TOSHIBA QFP | TMP95C061AF.pdf | ||
H9013 | H9013 ORIGINAL TO92 | H9013 .pdf | ||
LTC2110 | LTC2110 LT SMD or Through Hole | LTC2110.pdf | ||
K4T1G044QC-ZCCC | K4T1G044QC-ZCCC SAMSUNG SMD or Through Hole | K4T1G044QC-ZCCC.pdf | ||
RFSA2624 | RFSA2624 RFMD SMD or Through Hole | RFSA2624.pdf | ||
LMU112JC-60 | LMU112JC-60 LOGIC PLCC52 | LMU112JC-60.pdf |