창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDC8601 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDC8601 | |
PCN 설계/사양 | Board Layout Update 01/May/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 109m옴 @ 2.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 210pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 800mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-SSOT | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDC8601TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDC8601 | |
관련 링크 | FDC8, FDC8601 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
C1206C565K8RACTU | 5.6µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C565K8RACTU.pdf | ||
C3560 | C3560 DE SMD or Through Hole | C3560.pdf | ||
F09A 250V 10A | F09A 250V 10A ORIGINAL SMD or Through Hole | F09A 250V 10A.pdf | ||
2019-03-29 | 43553 UTC SOT-23 | 2019-03-29.pdf | ||
BT458-135 | BT458-135 BT DIP | BT458-135.pdf | ||
IPD10N03L | IPD10N03L INFINEON TO-252 | IPD10N03L.pdf | ||
LT1055cs | LT1055cs LT sop8 | LT1055cs.pdf | ||
2N2272 | 2N2272 MOT CAN | 2N2272.pdf | ||
SE742 10H02 | SE742 10H02 ORIGINAL SMD or Through Hole | SE742 10H02.pdf | ||
AP08P20GS | AP08P20GS APEC TO-263(S) | AP08P20GS.pdf | ||
R3117K501C-TR-FE | R3117K501C-TR-FE RICOH DFN | R3117K501C-TR-FE.pdf | ||
BD9836GV | BD9836GV ROHM BGA | BD9836GV.pdf |