창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDC6561AN | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDC6561AN | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 95m옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.2nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 220pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDC6561ANTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDC6561AN | |
| 관련 링크 | FDC65, FDC6561AN 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | F30J4K0 | RES CHAS MNT 4K OHM 5% 30W | F30J4K0.pdf | |
![]() | RT0603DRD072K15L | RES SMD 2.15KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD072K15L.pdf | |
![]() | MCT06030D6191BP100 | RES SMD 6.19KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D6191BP100.pdf | |
![]() | 2SK1086 | 2SK1086 FUJI TO-220 | 2SK1086.pdf | |
![]() | TDA8356/N6 | TDA8356/N6 NXP ZIP-9 | TDA8356/N6.pdf | |
![]() | MC74LS191N | MC74LS191N MOT DIP | MC74LS191N.pdf | |
![]() | MT48LC4M32B2TG-6D | MT48LC4M32B2TG-6D MICRON TSSOP | MT48LC4M32B2TG-6D.pdf | |
![]() | CY7C425-30VC | CY7C425-30VC CY NA | CY7C425-30VC.pdf | |
![]() | IR117A | IR117A IR SOP-8 | IR117A.pdf | |
![]() | C1206C106K4PAC | C1206C106K4PAC KEMET 1206106K | C1206C106K4PAC.pdf | |
![]() | 6BW3 | 6BW3 TUBES SMD or Through Hole | 6BW3.pdf | |
![]() | AMI8206JF | AMI8206JF AMI SMD or Through Hole | AMI8206JF.pdf |