창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDC642P_F085 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDC642P-F085 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 640pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDC642P_F085-ND FDC642P_F085TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDC642P_F085 | |
| 관련 링크 | FDC642P, FDC642P_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | HTC-PFA55-S1A/S2A | HTC-PFA55-S1A/S2A DDK SMD or Through Hole | HTC-PFA55-S1A/S2A.pdf | |
![]() | JANTX6762 | JANTX6762 MOT SMD or Through Hole | JANTX6762.pdf | |
![]() | HSD669A-O | HSD669A-O ORIGINAL SMD or Through Hole | HSD669A-O.pdf | |
![]() | 2GK57-73 | 2GK57-73 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2GK57-73.pdf | |
![]() | BB859C | BB859C ORIGINAL SMD or Through Hole | BB859C.pdf |