창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDC6318P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDC6318P | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 2.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 455pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDC6318P-ND FDC6318PTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDC6318P | |
| 관련 링크 | FDC6, FDC6318P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | LD055A270JAB2A | 27pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | LD055A270JAB2A.pdf | |
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![]() | CRCW0805100KFHEAP | RES SMD 100K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805100KFHEAP.pdf | |
![]() | PKF4510 | PKF4510 ERICSSON SMD or Through Hole | PKF4510.pdf | |
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![]() | TLP222A. | TLP222A. Toshiba DIP4 | TLP222A..pdf | |
![]() | K957 | K957 ORIGINAL TO-220 | K957.pdf | |
![]() | BAT60B-TH | BAT60B-TH CHANGDIAN SOT-323 | BAT60B-TH.pdf | |
![]() | TMCHE1D226 | TMCHE1D226 HITACHI SMD | TMCHE1D226.pdf | |
![]() | 70V05L25PFG | 70V05L25PFG IDT SMD or Through Hole | 70V05L25PFG.pdf |