창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDC6310P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDC6310P | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 2.2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.2nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 337pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDC6310P-ND FDC6310PFSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDC6310P | |
| 관련 링크 | FDC6, FDC6310P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
| 4608X-102-273LF | RES ARRAY 4 RES 27K OHM 8SIP | 4608X-102-273LF.pdf | ||
![]() | RNF12FTD4K75 | RES 4.75K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD4K75.pdf | |
![]() | S2516ADTA-75-E | S2516ADTA-75-E ELPIDA TSOP | S2516ADTA-75-E.pdf | |
![]() | NDR403.25 | NDR403.25 ORIGINAL 3P | NDR403.25.pdf | |
![]() | MB111T613 | MB111T613 FUJ DIP | MB111T613.pdf | |
![]() | SKFM680C-D | SKFM680C-D MS TO-252-3 | SKFM680C-D.pdf | |
![]() | S8050E | S8050E SAM TO92 | S8050E.pdf | |
![]() | RB1D | RB1D ORIGINAL SOT143 | RB1D.pdf | |
![]() | SC09500-001 | SC09500-001 ORIGINAL SMD or Through Hole | SC09500-001.pdf | |
![]() | GL-MD2078C-D1-1 | GL-MD2078C-D1-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | GL-MD2078C-D1-1.pdf | |
![]() | IXSK35N120BD1 | IXSK35N120BD1 IXYS TO-264 | IXSK35N120BD1.pdf | |
![]() | ME301/331/501CMG | ME301/331/501CMG ME SMD or Through Hole | ME301/331/501CMG.pdf |