창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDC608PZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDC608PZ | |
| PCN 설계/사양 | FDC6x, NDC7003P Die 11/May/2007 Mold Compound 08/April/2008 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1598 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 5.8A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1330pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDC608PZTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDC608PZ | |
| 관련 링크 | FDC6, FDC608PZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RT0603CRE0795K3L | RES SMD 95.3K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRE0795K3L.pdf | |
![]() | RCS0805453RFKEA | RES SMD 453 OHM 1% 0.4W 0805 | RCS0805453RFKEA.pdf | |
![]() | LM2940CS-8 | LM2940CS-8 ORIGINAL SO-263 | LM2940CS-8.pdf | |
![]() | 2010-0.03R-1% | 2010-0.03R-1% VISHAY 2010 | 2010-0.03R-1%.pdf | |
![]() | 293D226X9020C | 293D226X9020C VISHAY 20V22U C | 293D226X9020C.pdf | |
![]() | ME2950A33P1P | ME2950A33P1P MICR SOT-89 | ME2950A33P1P.pdf | |
![]() | 87975-1002 | 87975-1002 MOLEX SMD or Through Hole | 87975-1002.pdf | |
![]() | RD20E-T1B1 | RD20E-T1B1 NEC DO35 | RD20E-T1B1.pdf | |
![]() | PLFC1045R-100D | PLFC1045R-100D ORIGINAL SMD or Through Hole | PLFC1045R-100D.pdf | |
![]() | GU128X64D-7000 | GU128X64D-7000 oritake SMD or Through Hole | GU128X64D-7000.pdf | |
![]() | HP4-TM-DC12V | HP4-TM-DC12V Panasonic DIP-SOP | HP4-TM-DC12V.pdf |