창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDC604P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDC604P | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 5.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1926pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 800mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDC604PTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDC604P | |
관련 링크 | FDC6, FDC604P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
QMK212BJ332MD-T | 3300pF 250V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | QMK212BJ332MD-T.pdf | ||
R76TI14704040J | 4700pF Film Capacitor 650V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.157" W (18.00mm x 4.00mm) | R76TI14704040J.pdf | ||
SPM5020T-1R5M-LR | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 5.9A 24.8 mOhm Max Nonstandard | SPM5020T-1R5M-LR.pdf | ||
NSCW310 | NSCW310 NICHIA ROHS | NSCW310.pdf | ||
STB20N06 | STB20N06 ST TO-263 | STB20N06.pdf | ||
M0334SC200 | M0334SC200 WESTCODE SMD or Through Hole | M0334SC200.pdf | ||
PIC12F510-E/MS | PIC12F510-E/MS MICROCHI MSOP | PIC12F510-E/MS.pdf | ||
BU4841F | BU4841F ROHM SMD or Through Hole | BU4841F.pdf | ||
ST62T00B6HWD | ST62T00B6HWD sgs SMD or Through Hole | ST62T00B6HWD.pdf | ||
D05D12-1W | D05D12-1W HLDY SMD or Through Hole | D05D12-1W.pdf | ||
7S04B | 7S04B NO SOT23-5 | 7S04B.pdf |