창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDC365P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDC365P | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1598 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 35V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 4.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 705pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-SSOT | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDC365PTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDC365P | |
| 관련 링크 | FDC3, FDC365P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 425F31EM | 425F31EM CTS SMD or Through Hole | 425F31EM.pdf | |
![]() | 54279DMQB | 54279DMQB NS CDIP | 54279DMQB.pdf | |
![]() | FX052BMB-02-A1-PB0-L | FX052BMB-02-A1-PB0-L IKANOS BGA | FX052BMB-02-A1-PB0-L.pdf | |
![]() | DD350N14 | DD350N14 EUPEC SMD or Through Hole | DD350N14.pdf | |
![]() | EP2A25B724C9ES | EP2A25B724C9ES Altera PLCC | EP2A25B724C9ES.pdf | |
![]() | HMC724LC3C | HMC724LC3C HITTITE SMD or Through Hole | HMC724LC3C.pdf | |
![]() | TFMBJ15A | TFMBJ15A NEWINORIGINAL DO-214 | TFMBJ15A.pdf | |
![]() | M5M5V108DVP70HIBT | M5M5V108DVP70HIBT NSC NULL | M5M5V108DVP70HIBT.pdf | |
![]() | vgce5060 | vgce5060 intel qfn | vgce5060.pdf | |
![]() | UPA2782GR-E1 | UPA2782GR-E1 NEC SOP8 | UPA2782GR-E1.pdf | |
![]() | 89K3189PQ | 89K3189PQ ORIGINAL SMD or Through Hole | 89K3189PQ.pdf | |
![]() | XC4VFX20-FF672BGQ | XC4VFX20-FF672BGQ XILINX BGA | XC4VFX20-FF672BGQ.pdf |