창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDBL86361_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDBL86361_F085 | |
비디오 파일 | Automotive Powertrain and Power Module Solutions | |
주요제품 | PowerTrench® MOSFETs in TO-Leadless Packaging | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 188nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 429W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerSFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PSOF | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | FDBL86361_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDBL86361_F085 | |
관련 링크 | FDBL8636, FDBL86361_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ0402D4R3DXBAJ | 4.3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D4R3DXBAJ.pdf | ||
IHLP3232DZER5R6M51 | 5.6µH Shielded Molded Inductor 6.9A 31.67 mOhm Max Nonstandard | IHLP3232DZER5R6M51.pdf | ||
115-B-8A86EU B8A86EU | 115-B-8A86EU B8A86EU ORIGINAL SMD or Through Hole | 115-B-8A86EU B8A86EU.pdf | ||
HD49353NPEB | HD49353NPEB RENESAS QFN | HD49353NPEB.pdf | ||
SMDA24C-8.TRT | SMDA24C-8.TRT SEMTECH SOP14 | SMDA24C-8.TRT.pdf | ||
TC59S6416AFT-7 | TC59S6416AFT-7 TOSHIBA TSOP54 | TC59S6416AFT-7.pdf | ||
AO4839L | AO4839L AOSMD SOP-8 | AO4839L.pdf | ||
SC141685FT | SC141685FT MOTOROLA TQFP1010 | SC141685FT.pdf | ||
HZS11C3TD | HZS11C3TD ORIGINAL DO34 | HZS11C3TD.pdf | ||
IRF8707TRPBF-IR | IRF8707TRPBF-IR ORIGINAL SMD or Through Hole | IRF8707TRPBF-IR.pdf | ||
TPS73018YZQT | TPS73018YZQT TI SMD or Through Hole | TPS73018YZQT.pdf | ||
N540CH10 | N540CH10 WESTCODE SMD or Through Hole | N540CH10.pdf |