Fairchild Semiconductor FDBL0210N80

FDBL0210N80
제조업체 부품 번호
FDBL0210N80
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 80V 240A H-PSOF8
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내부 부품 번호EIS-FDBL0210N80
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDBL0210N80
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)80V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C240A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2m옴 @ 80A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs169nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds10000pF @ 40V
전력 - 최대357W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-PowerSFN
공급 장치 패키지8-PSOF
표준 포장 2,000
다른 이름FDBL0210N80TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDBL0210N80
관련 링크FDBL02, FDBL0210N80 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
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