창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDBL0150N80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDBL0150N80 | |
| PCN 설계/사양 | Gate Resistance 25/Jul/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 188nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 429W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerSFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PSOF | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | FDBL0150N80TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDBL0150N80 | |
| 관련 링크 | FDBL01, FDBL0150N80 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | 1825AA152JAT1A | 1500pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825AA152JAT1A.pdf | |
| .jpg) | CRCW06031M15FKTA | RES SMD 1.15M OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06031M15FKTA.pdf | |
|  | SFR2500004751FA500 | RES 4.75K OHM 0.4W 1% AXIAL | SFR2500004751FA500.pdf | |
|  | HMC441LP3E | RF Amplifier IC General Purpose 6.5GHz ~ 13.5GHz 16-SMT (3x3) | HMC441LP3E.pdf | |
|  | FSQ0765RQUDTU | FSQ0765RQUDTU FAIRCHILD TO220F-6 | FSQ0765RQUDTU.pdf | |
|  | LGLV-311E1 | LGLV-311E1 LIGITEK ROHS | LGLV-311E1.pdf | |
|  | MLF1608A1R0J | MLF1608A1R0J TDK SMD or Through Hole | MLF1608A1R0J.pdf | |
|  | SI1926A | SI1926A VISHAY SOP | SI1926A.pdf | |
|  | CY7C1474BV25-200BGC | CY7C1474BV25-200BGC CYPRESS BGA | CY7C1474BV25-200BGC.pdf | |
|  | TA7371AFTP1 | TA7371AFTP1 TOSHIBA SMD or Through Hole | TA7371AFTP1.pdf | |
|  | 2N6989RP | 2N6989RP JANTX SMD or Through Hole | 2N6989RP.pdf | |
|  | XXAJ239 | XXAJ239 MOT SOP | XXAJ239.pdf |