창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDBL0110N60 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDBL0110N60 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 220nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13650pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 429W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerSFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PSOF | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | FDBL0110N60TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDBL0110N60 | |
| 관련 링크 | FDBL01, FDBL0110N60 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SCBA10FF | BRIDGE RECT 5A 50V | SCBA10FF.pdf | |
![]() | VLS3012ET-470M-CA | 47µH Shielded Wirewound Inductor 440mA 1.5 Ohm Max Nonstandard | VLS3012ET-470M-CA.pdf | |
![]() | MCR03ERTF5233 | RES SMD 523K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03ERTF5233.pdf | |
![]() | ERJ-1WYJ363U | RES SMD 36K OHM 5% 1W 2512 | ERJ-1WYJ363U.pdf | |
![]() | CMF5047R500FKRE | RES 47.5 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5047R500FKRE.pdf | |
![]() | CW010120R0KE73 | RES 120 OHM 13W 10% AXIAL | CW010120R0KE73.pdf | |
![]() | CCF1N0.5TE | CCF1N0.5TE ORIGINAL SMD or Through Hole | CCF1N0.5TE.pdf | |
![]() | SN602016 | SN602016 TI SOP-16 | SN602016.pdf | |
![]() | RN4B2AY821J | RN4B2AY821J TYD SMD or Through Hole | RN4B2AY821J.pdf | |
![]() | ELD-426USOWA/S530-A3 | ELD-426USOWA/S530-A3 EVERLIGHT PB-FREE | ELD-426USOWA/S530-A3.pdf | |
![]() | BSP89L6327XT | BSP89L6327XT Infineontechnolog SMD or Through Hole | BSP89L6327XT.pdf | |
![]() | 7000-44051-7990750 | 7000-44051-7990750 MURR SMD or Through Hole | 7000-44051-7990750.pdf |