창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB8860 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB8860 | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 214nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12585pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 254W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB8860TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB8860 | |
관련 링크 | FDB8, FDB8860 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MMWA05W4K | 4µF Film Capacitor 35V 50V Polyester, Metallized Axial 0.504" Dia x 1.374" L (12.80mm x 34.90mm) | MMWA05W4K.pdf | |
![]() | UB3C-75RF8 | RES 75 OHM 3W 1% AXIAL | UB3C-75RF8.pdf | |
![]() | HMC865LC3TR-R5 | RF Amplifier IC 16-CSMT (3x3) | HMC865LC3TR-R5.pdf | |
![]() | D3P-052 | D3P-052 JEL SMD or Through Hole | D3P-052.pdf | |
![]() | MC33368P. | MC33368P. MOT DIP16 | MC33368P..pdf | |
![]() | TT-JGD-a351 | TT-JGD-a351 ORIGINAL SMD or Through Hole | TT-JGD-a351.pdf | |
![]() | CAT809JSDI-G3 | CAT809JSDI-G3 Catalyst SC70-3 | CAT809JSDI-G3.pdf | |
![]() | MTP10N06 | MTP10N06 ON SMD or Through Hole | MTP10N06.pdf | |
![]() | P16NF06(STP16NF06) | P16NF06(STP16NF06) SGS SMD or Through Hole | P16NF06(STP16NF06).pdf | |
![]() | P51-15-S-A-I36-20MA-R | P51-15-S-A-I36-20MA-R SSI Onlyoriginal | P51-15-S-A-I36-20MA-R.pdf | |
![]() | CR025JTB-10K | CR025JTB-10K VISHAY SMD or Through Hole | CR025JTB-10K.pdf |