창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB86569_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB86569_F085 Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | FDB86569_F085 Material Declaration FDB86569_F085 Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.6m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2520pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 94W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB86569_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB86569_F085 | |
관련 링크 | FDB8656, FDB86569_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | V56MLA1206NH | VARISTOR 69V 180A 1206 | V56MLA1206NH.pdf | |
![]() | ESR10EZPF3570 | RES SMD 357 OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF3570.pdf | |
![]() | RNF14GAD4K70 | RES 4.7K OHM 1/4W 2% AXIAL | RNF14GAD4K70.pdf | |
![]() | CMF55137K00BER670 | RES 137K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55137K00BER670.pdf | |
![]() | H423R7DYA | RES 23.7 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | H423R7DYA.pdf | |
![]() | VG1326 | 141MHz RF Antenna 132MHz ~ 150MHz 6dBi Connector, N Female Bracket Mount | VG1326.pdf | |
![]() | 31N20 | 31N20 ORIGINAL TO-263 | 31N20.pdf | |
![]() | SST29EE010-90-C-NH | SST29EE010-90-C-NH SST PLCC32 | SST29EE010-90-C-NH.pdf | |
![]() | PAL16R4A-30MJB | PAL16R4A-30MJB TI CDIP | PAL16R4A-30MJB.pdf | |
![]() | USZ11 | USZ11 ROHM SMD or Through Hole | USZ11.pdf | |
![]() | IN3306917REV | IN3306917REV ORIGINAL QFP | IN3306917REV.pdf | |
![]() | UPD95155GNMMU | UPD95155GNMMU NEC SMD or Through Hole | UPD95155GNMMU.pdf |