Fairchild Semiconductor FDB86569_F085

FDB86569_F085
제조업체 부품 번호
FDB86569_F085
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-FDB86569_F085
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDB86569_F085 Datasheet
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보FDB86569_F085 Material Declaration
FDB86569_F085 Cert of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열자동차, AEC-Q101, PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.6m옴 @ 80A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs52nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2520pF @ 30V
전력 - 최대94W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D²PAK(TO-263)
표준 포장 800
다른 이름FDB86569_F085TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDB86569_F085
관련 링크FDB8656, FDB86569_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
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RES 137K OHM 1/2W 0.1% AXIAL CMF55137K00BER670.pdf
RES 23.7 OHM 1/2W 0.5% AXIAL H423R7DYA.pdf
141MHz RF Antenna 132MHz ~ 150MHz 6dBi Connector, N Female Bracket Mount VG1326.pdf
31N20 ORIGINAL TO-263 31N20.pdf
SST29EE010-90-C-NH SST PLCC32 SST29EE010-90-C-NH.pdf
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