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Fairchild Semiconductor FDB86363_F085

FDB86363_F085
제조업체 부품 번호
FDB86363_F085
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 80V 110A TO263
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내부 부품 번호EIS-FDB86363_F085
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDB86363_F085
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열자동차, AEC-Q101, PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)80V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C110A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.4m옴 @ 80A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs150nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds10000pF @ 40V
전력 - 최대300W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263
표준 포장 800
다른 이름FDB86363_F085TR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDB86363_F085
관련 링크FDB8636, FDB86363_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
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