Fairchild Semiconductor FDB86360_F085

FDB86360_F085
제조업체 부품 번호
FDB86360_F085
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
데이터 시트 다운로드
다운로드
FDB86360_F085 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,389.54510
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FDB86360_F085 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FDB86360_F085 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FDB86360_F085가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FDB86360_F085 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FDB86360_F085 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FDB86360_F085
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDB86360_F085
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열자동차, AEC-Q101, PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)80V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C110A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.8m옴 @ 80A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs253nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds14600pF @ 25V
전력 - 최대333W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263
표준 포장 800
다른 이름FDB86360_F085TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDB86360_F085
관련 링크FDB8636, FDB86360_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FDB86360_F085 의 관련 제품
10pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) VJ0402D100MXCAJ.pdf
SENSOR TEMPERATURE SMBUS 16QSOP MAX6699EE99+.pdf
MMBT5551(G1) ORIGINAL SMD or Through Hole MMBT5551(G1).pdf
12N60L-TO220F1T-A-TG UTC SMD or Through Hole 12N60L-TO220F1T-A-TG.pdf
M2145 ORIGINAL IC M2145.pdf
RD18P-T1 18V NEC SOT-89 RD18P-T1 18V.pdf
MX29LV800BBT MXIC SMD or Through Hole MX29LV800BBT.pdf
EL17-215UGC/TR8 FULLCOLOR SMD EL17-215UGC/TR8.pdf
20424-11PB2 ROCKWELL QFP 20424-11PB2.pdf
RT9281PS RICHTEK SOP-14 RT9281PS.pdf
TAS5613APHDRG4 TI l TAS5613APHDRG4.pdf
MB89135LPFM-G-650-BND ORIGINAL QFP MB89135LPFM-G-650-BND.pdf