창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB86360_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB86360_F085 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 253nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 333W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB86360_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB86360_F085 | |
관련 링크 | FDB8636, FDB86360_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 380LQ393M016K042 | SNAPMOUNTS | 380LQ393M016K042.pdf | |
![]() | FDB3502 | MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB | FDB3502.pdf | |
![]() | RT2512BKC074K02L | RES SMD 4.02K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKC074K02L.pdf | |
![]() | CMF503K3000JNR6 | RES 3.3K OHM 1/4W 5% AXIAL | CMF503K3000JNR6.pdf | |
![]() | 88917-301 | 88917-301 FCI SMD or Through Hole | 88917-301.pdf | |
![]() | 552R-01LN | 552R-01LN IDT SSOP | 552R-01LN.pdf | |
![]() | KTA1015-O | KTA1015-O KEC SMD or Through Hole | KTA1015-O.pdf | |
![]() | 2530CZAC330 | 2530CZAC330 TI BGA | 2530CZAC330.pdf | |
![]() | TM1CC685MLRH | TM1CC685MLRH ORIGINAL SMD or Through Hole | TM1CC685MLRH.pdf | |
![]() | UTSH-A931JV | UTSH-A931JV NICHICON SMD | UTSH-A931JV.pdf | |
![]() | 4L07J4L | 4L07J4L ORIGINAL SMD or Through Hole | 4L07J4L.pdf | |
![]() | AIC1642-50 | AIC1642-50 ORIGINAL SMD or Through Hole | AIC1642-50.pdf |