창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB86135 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB86135 | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 116nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7295pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB86135-ND FDB86135TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB86135 | |
관련 링크 | FDB8, FDB86135 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | BAT721S,215 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23 | BAT721S,215.pdf | |
![]() | ERJ-S03J112V | RES SMD 1.1K OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-S03J112V.pdf | |
![]() | RT0402BRE0726K7L | RES SMD 26.7KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE0726K7L.pdf | |
![]() | AT1206DRE071K87L | RES SMD 1.87K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRE071K87L.pdf | |
![]() | 3455R99030010 | PHENOLIC AUTO RESET THERMOSTAT | 3455R99030010.pdf | |
![]() | N0133952 | N0133952 OTHER SMD or Through Hole | N0133952.pdf | |
![]() | 7E03NA-101M-T | 7E03NA-101M-T SAGAMI 2D18 | 7E03NA-101M-T.pdf | |
![]() | LFY | LFY ON QFN | LFY.pdf | |
![]() | AMP174053-2 | AMP174053-2 AMP SMD or Through Hole | AMP174053-2.pdf | |
![]() | B37931K5332K60 | B37931K5332K60 EPCOS SMD or Through Hole | B37931K5332K60.pdf | |
![]() | LT1399CS TR | LT1399CS TR LT SO16 | LT1399CS TR.pdf | |
![]() | LSR330/GHK100 | LSR330/GHK100 NEM CAP | LSR330/GHK100.pdf |