창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB8443 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDB8443 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta), 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9310pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 188W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FDB8443TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDB8443 | |
| 관련 링크 | FDB8, FDB8443 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | PRD-60984 | POWER RELAY ASSEMBLY | PRD-60984.pdf | |
![]() | AT29C1024G70VCS | AT29C1024G70VCS AT TSSOP-40 | AT29C1024G70VCS.pdf | |
![]() | H04NK4 | H04NK4 ORIGINAL SMD or Through Hole | H04NK4.pdf | |
![]() | 200USG821M25X30 | 200USG821M25X30 RUBYCON DIP | 200USG821M25X30.pdf | |
![]() | S816A33AMCBAIT2 | S816A33AMCBAIT2 SEIKO SMD or Through Hole | S816A33AMCBAIT2.pdf | |
![]() | 222/250VAC | 222/250VAC STTH DIP | 222/250VAC.pdf | |
![]() | HD44750A77 | HD44750A77 HITACHI DIP40 | HD44750A77.pdf | |
![]() | SC8206A4L | SC8206A4L ORIGINAL DIP | SC8206A4L.pdf | |
![]() | CA42N-1V105M | CA42N-1V105M AUK NA | CA42N-1V105M.pdf | |
![]() | D23C16000WGXC03 | D23C16000WGXC03 ORIGINAL SMD or Through Hole | D23C16000WGXC03.pdf | |
![]() | MDF150A40L/M | MDF150A40L/M SanRex SMD or Through Hole | MDF150A40L/M.pdf |