창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB7030BL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDB7030BL, FDP7030BL | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1760pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FDB7030BL-ND FDB7030BLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDB7030BL | |
| 관련 링크 | FDB70, FDB7030BL 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW0603100RJNTA | RES SMD 100 OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW0603100RJNTA.pdf | |
![]() | MCR006YZPJ155 | RES SMD 1.5M OHM 5% 1/20W 0201 | MCR006YZPJ155.pdf | |
![]() | Y14870R03300D0R | RES SMD 0.033 OHM 0.5% 1W 2512 | Y14870R03300D0R.pdf | |
![]() | Y000747K5000B9L | RES 47.5K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y000747K5000B9L.pdf | |
![]() | CL21B152KBND | CL21B152KBND ORIGINAL SMD or Through Hole | CL21B152KBND.pdf | |
![]() | HY517804BJ-60 | HY517804BJ-60 HY SOJ | HY517804BJ-60.pdf | |
![]() | 81483 | 81483 INTERSIL SMD or Through Hole | 81483.pdf | |
![]() | TA8877AN | TA8877AN ST ZIP | TA8877AN.pdf | |
![]() | CY7C516-45JC | CY7C516-45JC CY DIP SOP | CY7C516-45JC.pdf | |
![]() | MCT2V-M | MCT2V-M ISOCOM DIPSOP | MCT2V-M.pdf | |
![]() | MIC5307-2.8YDJTR | MIC5307-2.8YDJTR MIC SOT-23-5 | MIC5307-2.8YDJTR.pdf |