창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB52N20TM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB52N20 | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 52A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 49m옴 @ 26A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 357W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB52N20TMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB52N20TM | |
관련 링크 | FDB52N, FDB52N20TM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | TC164-FR-0776K8L | RES ARRAY 4 RES 76.8K OHM 1206 | TC164-FR-0776K8L.pdf | |
![]() | Y000712R5840Q9L | RES 12.584 OHM 0.6W 0.02% RADIAL | Y000712R5840Q9L.pdf | |
![]() | AML7211 | AML7211 AMLOGIC QFP | AML7211.pdf | |
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![]() | XC61FC1652PR | XC61FC1652PR TOREX SOT89-3 | XC61FC1652PR.pdf | |
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![]() | H11BXK4867 | H11BXK4867 QTC DIP-6 | H11BXK4867.pdf | |
![]() | AM33C93B-20JC | AM33C93B-20JC AMD PLCC44 | AM33C93B-20JC.pdf | |
![]() | SMV3000L | SMV3000L ZCOMM SMD or Through Hole | SMV3000L.pdf | |
![]() | BU4S01 TEL:82766440 | BU4S01 TEL:82766440 ROHM SOT153 | BU4S01 TEL:82766440.pdf |