창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB44N25TM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDB44N25 | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 69m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 61nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2870pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 307W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FDB44N25TMTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDB44N25TM | |
| 관련 링크 | FDB44N, FDB44N25TM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | GCM1885C2A1R3CA16D | 1.3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C2A1R3CA16D.pdf | |
![]() | AIAP-03-181K | 180µH Unshielded Wirewound Inductor 1.98A 150 mOhm Max Axial | AIAP-03-181K.pdf | |
![]() | 1607501659 | 1607501659 ST DIP20 | 1607501659.pdf | |
![]() | ML8464C-2-CPN | ML8464C-2-CPN ML DIP24 | ML8464C-2-CPN.pdf | |
![]() | AIC1896GGTR | AIC1896GGTR AIC SOT23-6 | AIC1896GGTR.pdf | |
![]() | PSD813F5-A-90U | PSD813F5-A-90U WSI TQFP64 | PSD813F5-A-90U.pdf | |
![]() | SCD1005T-100M-S | SCD1005T-100M-S Chilisin PowerInductor | SCD1005T-100M-S.pdf | |
![]() | SCW08B-12 | SCW08B-12 MEANWELL DIP | SCW08B-12.pdf | |
![]() | M62301 | M62301 MIT SOP | M62301.pdf | |
![]() | ME3407 | ME3407 ME/ SOT23-3 | ME3407.pdf |