창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB44N25TM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDB44N25 | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 69m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 61nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2870pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 307W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FDB44N25TMTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDB44N25TM | |
| 관련 링크 | FDB44N, FDB44N25TM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | AMT9501-B | AMT9501-B ARTIF PLCC44 | AMT9501-B.pdf | |
![]() | UM23C512C-5345 | UM23C512C-5345 UMC DIP | UM23C512C-5345.pdf | |
![]() | FP10R12WT3ENG | FP10R12WT3ENG EUPEC SMD or Through Hole | FP10R12WT3ENG.pdf | |
![]() | M24308/4-3F | M24308/4-3F AMP/TYCO AMP | M24308/4-3F.pdf | |
![]() | SAA7108AEN1 | SAA7108AEN1 PHILIPS BGA | SAA7108AEN1.pdf | |
![]() | 74ACT11194D | 74ACT11194D S 7.2mm20 | 74ACT11194D.pdf | |
![]() | XC4VLX100-10FF1152C | XC4VLX100-10FF1152C XILINX BGA | XC4VLX100-10FF1152C.pdf | |
![]() | 2ZUS12N12E | 2ZUS12N12E MR SIP7 | 2ZUS12N12E.pdf | |
![]() | GRM40-035X5R476M4 | GRM40-035X5R476M4 MURATA SMD or Through Hole | GRM40-035X5R476M4.pdf |