창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDB2572 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB2572 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta), 29A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 54m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1770pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 135W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FDB2572-ND FDB2572TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDB2572 | |
관련 링크 | FDB2, FDB2572 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 2534R-28K | 1.5mH Unshielded Molded Inductor 118mA 12 Ohm Max Radial | 2534R-28K.pdf | |
![]() | SR0805KR-076R2L | RES SMD 6.2 OHM 10% 1/8W 0805 | SR0805KR-076R2L.pdf | |
![]() | SM6227FT7R32 | RES SMD 7.32 OHM 1% 3W 6227 | SM6227FT7R32.pdf | |
![]() | RJF-25V101MG1 | RJF-25V101MG1 ELNA DIP-2 | RJF-25V101MG1.pdf | |
![]() | SD-Q11 | SD-Q11 ORIGINAL SMD or Through Hole | SD-Q11.pdf | |
![]() | ADM5491ARU | ADM5491ARU AD SMD or Through Hole | ADM5491ARU.pdf | |
![]() | BL-HA133A-AA-TRB | BL-HA133A-AA-TRB BRIGHT PB-FREE | BL-HA133A-AA-TRB.pdf | |
![]() | BL42BC-B01 | BL42BC-B01 Hidear SMD or Through Hole | BL42BC-B01.pdf | |
![]() | MM1385ZNRENOPB | MM1385ZNRENOPB Mitsumi SMD or Through Hole | MM1385ZNRENOPB.pdf | |
![]() | CFS12V6T1R0 | CFS12V6T1R0 TA-I SMD or Through Hole | CFS12V6T1R0.pdf | |
![]() | 320LC548 | 320LC548 TI QFP | 320LC548.pdf | |
![]() | UT2340G-AE3-R | UT2340G-AE3-R UTC SOT-23 | UT2340G-AE3-R.pdf |