Fairchild Semiconductor FDB2532
- 제조업체 부품 번호
- FDB2532
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
FDB2532 가격 및 조달
가능 수량
10150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,556.75520
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 FDB2532 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FDB2532 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FDB2532가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- FDB2532 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDB2532 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB2532 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDB2532, FDP2532 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta), 79A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 33A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 107nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5870pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 310W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FDB2532TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDB2532 | |
| 관련 링크 | FDB2, FDB2532 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
FDB2532 의 관련 제품
-Kemet.jpg) | CA064C390K5GACTU | 39pF Isolated Capacitor 4 Array 50V C0G, NP0 0612 (1632 Metric) 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm) | CA064C390K5GACTU.pdf | |
 | GRM1886R1H5R9DZ01D | 5.9pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886R1H5R9DZ01D.pdf | |
 | 7A-18.432MAAJ-T | 18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A-18.432MAAJ-T.pdf | |
 | VS-VSKH26/06 | MODULE THYRISTOR 27A ADD-A-PAK | VS-VSKH26/06.pdf | |
| MLG0402P1N0ST000 | 1nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 400 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402P1N0ST000.pdf | |
 | RCWE1020R820FKEA | RES SMD 0.82 OHM 2W 2010 WIDE | RCWE1020R820FKEA.pdf | |
 | CMF5520K000FKRE70 | RES 20K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5520K000FKRE70.pdf | |
| F74F821SDC | F74F821SDC FSC CDIP | F74F821SDC.pdf | |
| IM9T-12KFT9-5 | IM9T-12KFT9-5 N/A QFP-100L | IM9T-12KFT9-5.pdf | |
| TC74VHCT32AFT(SPL) | TC74VHCT32AFT(SPL) TOSHIBA TSSOP | TC74VHCT32AFT(SPL).pdf | |
| 2SB1459 | 2SB1459 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SB1459.pdf | |
| MSD601-RT1 SOT23-YR | MSD601-RT1 SOT23-YR ON/ONSemicon SOT-23 | MSD601-RT1 SOT23-YR.pdf |