창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB2532 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDB2532, FDP2532 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta), 79A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 33A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 107nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5870pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 310W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FDB2532TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDB2532 | |
| 관련 링크 | FDB2, FDB2532 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | HAZ151MBACRBKR | 150pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HAZ151MBACRBKR.pdf | |
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![]() | Y078510K0000B9L | RES 10K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y078510K0000B9L.pdf | |
![]() | NC7SP158P6X_NL | NC7SP158P6X_NL FAIRCHILD SOT363 | NC7SP158P6X_NL.pdf | |
![]() | NSS20201MR6 | NSS20201MR6 ON SOT-163 | NSS20201MR6.pdf | |
![]() | L6370L | L6370L ST ZIP11 | L6370L.pdf | |
![]() | BCM4500 | BCM4500 BROADCOM QFP | BCM4500.pdf | |
![]() | VC80E2A155M-T | VC80E2A155M-T MARUWA SMD or Through Hole | VC80E2A155M-T.pdf | |
![]() | MA26V110010F | MA26V110010F PANASONIC SMD0402 | MA26V110010F.pdf | |
![]() | LC72336-9907 | LC72336-9907 SANYO QFP | LC72336-9907.pdf | |
![]() | CP7164ATT | CP7164ATT CYPRESS SSOP | CP7164ATT.pdf |