창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB20N50F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDB20N50F | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | FRFET®, UniFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3390pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D²Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FDB20N50FTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDB20N50F | |
| 관련 링크 | FDB20, FDB20N50F 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ESN108M016AM2AA | ESN108M016AM2AA ARCOTRNI SMD or Through Hole | ESN108M016AM2AA.pdf | |
![]() | ISL95810WIU8Z-T | ISL95810WIU8Z-T Intersil SMD or Through Hole | ISL95810WIU8Z-T.pdf | |
![]() | ICPA555P | ICPA555P ORIGINAL DIP8 | ICPA555P.pdf | |
![]() | BCCH411D | BCCH411D TAI SOT-23 | BCCH411D.pdf | |
![]() | 195D157X0004C2T | 195D157X0004C2T VISHAY SMD or Through Hole | 195D157X0004C2T.pdf | |
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![]() | BZW30-175 | BZW30-175 ST SMD or Through Hole | BZW30-175.pdf | |
![]() | ECWH12113JV | ECWH12113JV ORIGINAL SMD or Through Hole | ECWH12113JV.pdf | |
![]() | 52018-6245 | 52018-6245 MLX SMD or Through Hole | 52018-6245.pdf | |
![]() | KS23094L1 | KS23094L1 BB DIPL | KS23094L1.pdf | |
![]() | VS838 | VS838 LF DIP-3 | VS838.pdf | |
![]() | XPC8245RZU400D | XPC8245RZU400D MOT BGA | XPC8245RZU400D.pdf |